SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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공급 전압 - 최소
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GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 435 mA, 600 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 455 mA, 620 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 435 mA, 600 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 470 mA, 690 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 490 mA, 710 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 420 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 455 mA, 620 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 420 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
데이터시트
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최소: 10
배수: 10

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 435 mA, 600 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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최소: 10
배수: 10

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 455 mA, 620 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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최소: 10
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144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 435 mA, 600 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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최소: 10
배수: 10

144 Mbit 4 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 470 mA, 690 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
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배수: 10

144 Mbit 4 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 490 mA, 710 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 420 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
재고 없음
최소: 10
배수: 10

144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
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최소: 10
배수: 10

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 455 mA, 620 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
데이터시트
재고 없음
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배수: 10
144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray