Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

결과: 130
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
Panjit MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 200 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 370 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 750 mA 400 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 비재고 리드 타임 41 주
최소: 198,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 900 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 380 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 12,000
배수: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si 30 V 10 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si 30 V 6.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si 30 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si 30 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel