NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 1776 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NCV8406DD1CR2G

제조업체 번호:

NCV8406DD1CR2G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NCV8406DD1CR2G 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩967.9	₩96,790
	₩929.4	₩464,700
	₩896.9	₩896,900
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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Rds On - 드레인 소스 저항:	210 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 14 V, 14 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.2 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Dual
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	PH
하강 시간:	692 ns
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	486 ns
시리즈:	NCV8406DD1CR2G
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	1600 ns
표준 턴-온 지연 시간:	127 ns

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문서 필터:

데이터시트

NCV8406DD1CR2G 데이터시트

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NCV8406DD 이중 자체 보호 로우 사이드 드라이버

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.