Planar Diffused Structure UV-Enhanced Photodiodes

Advanced Photonix Planar Diffused Structure UV-Enhanced Photodiodes are engineered to deliver exceptional sensitivity, stability, and durability in ultraviolet detection applications. Built using a proprietary diffusion process, these devices achieve enhanced quantum efficiency in the UV spectrum while maintaining low noise levels and excellent linearity. Whether integrated into analytical instruments, environmental monitoring systems, or industrial sensing platforms, these photodiodes provide reliable, consistent performance.

결과: 13
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최저 작동온도
최고 작동온도
Advanced Photonix 포토다이오드 5.7mm sq IR Suppressed UV Si PIN
데이터시트
20예상 2026-07-06
최소: 1
배수: 1

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 720 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 34mm sq UV Si Photodiode Ceramic
데이터시트
20예상 2026-07-06
최소: 1
배수: 1

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 5.7mm sq UV Si Photodiode Ceramic
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 5.7mm sq IR Suppressed UV Si PIN
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 13mm sq UV Si Photodiode TO-5
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 980 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 13mm sq IR Suppressed UV Si PIN
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 720 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 34mm sq UV Si Photodiode TO-5
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes TO-8-6 Through Hole 980 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 34mm sq IR Suppressed UV Si PIN
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes TO-8-6 Through Hole 720 nm 5 V 2 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 34mm sq IR Suppressed UV Si PIN
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 2 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 100mm sq UV Si Photodiode bNC
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 25
배수: 25

Photodiodes BNC-11 Connector 980 nm 5 V 3 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 100mm sq UV Si Photodiode Ceramic
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 5 V 3 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 100mm sq IR Suppressed UV Si PIN
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 25
배수: 25

Photodiodes BNC-11 Connector 720 nm 5 V 7 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix 포토다이오드 100mm sq IR Suppressed UV Si PIN
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 7 us - 20 C + 60 C