IGBT 7 전력 모듈

Microchip Technology IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)7 전력 모듈은 캡슐화된 여러 IGBT 칩과 프리휠링 다이오드로 구성되어 고전력 애플리케이션을 위한 컴팩트하고 효율적인 솔루션을 제공하며, 단일 패키지로 제공됩니다. 이 모듈은 전력을 제어하고 변환하며 전력 용량을 늘리고 전력 손실을 줄이는 것이 특징입니다. lGBT7 제품군은 1,200~1,700V 전압 범위 및 50~900A 전류 범위의 다양한 패키지 유형과 토폴로지를 포함합니다. 이 전력 모듈은 기존 세대보다 개선된 전력 모듈로, 낮은 VCE(sat) 및 Vf, 향상된 dv/dt 제어 기능, 50% 더 높은 전류 용량, Tj +175°C의 과부하 용량, 향상된 프리휠링 다이오드 부드러움, 더 간단한 구동 기능을 제공합니다. 이러한 기능은 높은 전력 밀도, 시스템 비용 절감, 높은 효율성, 사용 편의성, 내구성, 출시 시간 단축이라는 차별화된 가치 제안을 제공합니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-DP3
10예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-DP3
10예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-DP3
10예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-DP3
10예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-DP3
10예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-DP3
10예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C