CoolSiC™ 750V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은 유니 폴라게이트 구동용으로 기생 턴온에 대한 견고성 및 신뢰성을 제공하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET은 토템 폴, ANPC, 비엔나 정류기, FCC 하드 스위칭 토폴로지에서 우수한 성능 을 제공합니다. MOSFET은 출력 정전용량(Coss)이 감소하여 CYCLO컨버터, CLLC, DAB, LLC 소프트 스위칭 토폴로지에서 더 높은 스위칭 주파수에서 작동할 수 있습니다. CoolSiC™ 750V G2 MOSFET은 향상된 게이트 제어를 통해 최대 78mΩ의 드레인 소스온 저항 및 스위칭 손실이 특징입니다. 이 MOSFET은 자동차 인증과 산업용 인증을 받았습니다. 일반적으로 EV 충전 인프라, 전기 통신, 회로 차단기, 솔리드 스테이트 계전기, 태양광 PV 인버터, HV‑LV DC-DC 컨버터에 사용됩니다.

결과: 30
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
데이터시트
849재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
데이터시트
748재고 상태
750주문 중
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
1,500주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
데이터시트
1,499주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
데이터시트
50예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 40 mOhms - 7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC