CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET는 동급 최고 수준의 가격 대비 성능을 제공하고 사용이 간편해 다양한 애플리케이션에서 어려운 문제를 해결합니다. 700V 및 800V CoolMOS P7 전력 MOSFET는 어댑터 및 충전기, 조명, 오디오 SMPS, AUX, 산업용 전원 공급 장치를 비롯한 플라이백 기반 저전력 SMPS 애플리케이션용으로 개발되었습니다. 600V CoolMOS P7 전력 MOSFET은 저전력뿐 아니라 태양광 인버터, 서버, 원격 통신 및 EV 충전소 같은 고전력 SMPS 애플리케이션을 대상으로 합니다. 이 P7 MOSFET는 강성 및 연성 스위칭 토폴로지에 맞게 전체적으로 최적화되었습니다.

결과: 125
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
4,754재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 40 C + 150 C 111 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
4,495재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 149 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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8,807재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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22,258재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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680재고 상태
7,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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851재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
5,713재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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547재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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906재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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976재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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2,049재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
213재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 374 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
575재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,500재고 상태
500예상 2026-04-24
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
데이터시트
783재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
470재고 상태
8,000예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,050재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
2,170재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
데이터시트
164재고 상태
15,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
40재고 상태
240예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
데이터시트
901재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,319재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
562재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
524재고 상태
1,500주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube