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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 6482 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SUM40014M-GE3

제조업체 번호:

SUM40014M-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET TO263 N-CH 40V 200A

데이터시트:

SUM40014M-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩4,292.4	₩42,924
	₩3,036.8	₩303,680
	₩3,022.2	₩1,511,100
전체 릴(800의 배수로 주문)
	₩2,525.8	₩2,020,640
	₩2,379.8	₩5,711,520
	₩2,277.6	₩10,932,480

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	200 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	990 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.4 V
Qg - 게이트 전하:	182 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	375 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	ThunderFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Vishay / Siliconix
하강 시간:	35 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	140 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	10 ns
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	ThunderFET Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	100 ns
표준 턴-온 지연 시간:	20 ns
단위 중량:	1.600 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SUM40014M-GE3 데이터시트

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Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SUM40014M N-채널 40V MOSFET

Vishay/Siliconix SUM40014M N-채널 40V MOSFET은 40V_DS 드레인 소스 전압을 제공하며 ThunderFET® 전력 소자와 함께 단일 구성 D²PAK 패키지로 제공됩니다. 이 MOSFET은 무연 및 RoHS 규격 준수 설계 장치를 활용하며 100% R_g 및 UIS 테스트를 거쳤습니다. Vishay/Siliconix SUM40014M N-채널 40V MOSFET은 DC/DC 변환기, 배터리 관리, 전동 공구 및 모터 드라이브 스위치에 사용하기에 적합합니다.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.