LMG3614REQR

Texas Instruments
595-LMG3614REQR
LMG3614REQR

제조업체:

설명:
게이트 드라이버

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 1,997

재고:
1,997 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(2000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩12,030.4 ₩12,030
₩8,409.6 ₩84,096
₩8,015.4 ₩200,385
₩6,964.2 ₩696,420
₩6,643 ₩1,660,750
₩6,059 ₩3,029,500
₩5,913 ₩5,913,000
전체 릴(2000의 배수로 주문)
₩5,022.4 ₩10,044,800
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
GaN FETs
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-38
1 Driver
1 Output
10 V
26 V
Non-Inverting
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Texas Instruments
개발 키트: LMG3624EVM-081
입력 전압 - 최대: 26 V
입력 전압 - 최소: 10 V
최대 턴-오프 지연 시간: 32 ns
최대 턴-온 지연 시간: 86 ns
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 6 A
제품 유형: Gate Drivers
Rds On - 드레인 소스 저항: 170 mOhms
차단: No Shutdown
팩토리 팩 수량: 2000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: GaN
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3614 650V 170mΩ 질화갈륨 전력 FET

Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ 질화갈륨 전력 FET는 스위치 모드 전원 공급 장치 애플리케이션을 위한 제품입니다. LMG3614는 질화갈륨 FET와 게이트 드라이버를 8mm by 5.3mm QFN 패키지에 통합하여 부품 수를 줄이고 설계를 간소화합니다. 프로그래밍 가능한 턴온 슬루율은 EMI 및 링잉 제어를 제공합니다.

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