IAUZ4xN06S5 60V 자동차용 OptiMOS™-5 MOSFET

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V 자동차용 OptiMOS™-5 MOSFET 은 낮은 드레인-소스 온 상태 저항, 낮은 게이트 전하, 낮은 게이트 정전용량이 특징으로, 전도 및 스위칭 손실을 최소화합니다. 이 N-채널 강화 모드 MOSFET는 22.7~23.0nC의 매우 낮은 역방향 회복 충전 기능도 갖추고 있습니다. 

결과: 2
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
데이터시트
4,057재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
데이터시트
13,003재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel