LTR AEC-Q200 고전력 후막 션트 저항기

ROHM Semiconductor LTR 고전력 후막 션트 저항기는 표준 저항기보다 정격 전력이 높은 넓은 단자가 특징입니다. 전류 감지, LTR 칩 저항기는 0.25~2W 정격 전력 범위, 10mΩ~1MΩ 저항 범위를 제공하며 0508~1225(미터)의 다양한 크기로 제공됩니다. 종단 사이의 거리가 짧아서 강력한 납땜 고정이 가능합니다. AEC-Q200 ROHM Semiconductor LTR 고전력 후막 션트 저항기는 산업 및 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 종단 스타일 저항 전력 정격 공차 온도 계수 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 24Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 24 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0612 27ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 27 Ohms 1.5 W 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.7Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.7 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 27Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 27 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2 Ohms 1.5 W 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 2.7ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.7 Ohms 1.5 W 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 3Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0612 30Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 30 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 3.3Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.3 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 33Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 33 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 330Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 330 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 36Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 36 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 39ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 39 Ohms 1.5 W 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 3.9Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.9 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 39Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 39 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 3ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3 Ohms 1.5 W 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 3.6ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.6 Ohms 1.5 W 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 43Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 43 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 4.7Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 4.7 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 47Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 47 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0612 470Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 470 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 4.3ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 4.3 Ohms 1.5 W 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 510Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 510 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 5.6Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 5.6 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 56Kohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 56 kOhms 750 mW (3/4 W) 5 % 200 PPM / C 1632 0612