LTR AEC-Q200 고전력 후막 션트 저항기

ROHM Semiconductor LTR 고전력 후막 션트 저항기는 표준 저항기보다 정격 전력이 높은 넓은 단자가 특징입니다. 전류 감지, LTR 칩 저항기는 0.25~2W 정격 전력 범위, 10mΩ~1MΩ 저항 범위를 제공하며 0508~1225(미터)의 다양한 크기로 제공됩니다. 종단 사이의 거리가 짧아서 강력한 납땜 고정이 가능합니다. AEC-Q200 ROHM Semiconductor LTR 고전력 후막 션트 저항기는 산업 및 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 종단 스타일 저항 전력 정격 공차 온도 계수 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 75ohm 0.5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 75 Ohms 1.5 W 0.5 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 110Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 110 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 1.21Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1.21 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 1.47Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1.47 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 150Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 150 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 17.8ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 17.8 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 1.1ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1.1 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 1.2ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1.2 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.26Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.26 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.43Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.43 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 249ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 249 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 270Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 270 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 2.74Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.74 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.8Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.8 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 2.87Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.87 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.94Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.94 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 2.4ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 2.4 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 3.3Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.3 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 332ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 332 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 360ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 360 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 3.6Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.6 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 37.4ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 37.4 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 392ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 392 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD 1206 3.32ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.32 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 3.4ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 3.4 Ohms 1.5 W 1 % 100 PPM / C 1632 0612