SST26 직렬 쿼드 I/O 플래시 메모리

Microchip Technology SST26 직렬 쿼드 I/O(SQI) 플래시 메모리는 낮은 핀수, 강화된 4비트 다중화 직렬 인터페이스 아키텍처를 갖췄으며, 최대 350 Mbit/초로 지속되는 버스트 데이터 전송 속도를 기반으로 일반적인 병렬 플래시 메모리를 상회하는 성능을 제공합니다. 이 SQI 플래시 메모리 소자는 성능을 향상시키면서도 표준 직렬 소자의 소형 폼팩터를 유지합니다. SST26 SQI는 고성능 CMOS SuperFlash® 기술을 기반으로 셍산되고 소비전력을 줄이면서 성능과 신뢰성을 크게 향상시킵니다. 이 플래시 메모리는 최대 주파수 80MHz에서 작동하므로 Bluetooth® 헤드셋, 광 디스크 드라이브 및 GPS 애플리케이션에 사용하기에 적합한 소자입니다.

결과: 91
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 시리즈 메모리 크기 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 능동 읽기 전류 - 최대 인터페이스 타입 최대 클록 주파수 조직 데이터 버스 너비 타이밍 타입 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 476재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,300

SMD/SMT SOIC-8 SST26WF040B 4 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 512 k x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 16Mbit Serial Quad I/O Flsh 16재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,100

SMD/SMT SOIC-8 SST26VF 16 Mbit 2.7 V 3.6 V 12 mA SPI 80 MHz 2 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology NOR 플래시 16M 80MHz 2.7-3.6V Industrial 177재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT SOIC-8 SST26VF 16 Mbit 2.7 V 3.6 V 18 mA SPI 80 MHz 2 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology NOR 플래시 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory 1,138재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT SOIJ-8 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 20 mA SPI 104 MHz 8 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology NOR 플래시 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
: 2,100

SOIJ-8 SPI, SQI Reel, Cut Tape
Microchip Technology NOR 플래시 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

TDFN-S-8 Reel

Microchip Technology NOR 플래시 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 Reel
Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

TDFN-S-8 Reel

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

TDFN-8 Reel

Microchip Technology NOR 플래시 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

TDFN-S-8 SST26WF040B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 USON 비재고 리드 타임 4 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

UDFN-8 SST26WF040B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

SOIC-8 SST26WF040B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

TDFN-S-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 USON 비재고 리드 타임 7 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

UDFN-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

SOIC-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V 비재고 리드 타임 7 주
최소: 294
배수: 294

SMD/SMT 16 Mbit 2.3 V 3.6 V 20 mA SPI 80 MHz 2 M x 8 8 bit - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology NOR 플래시 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory 비재고 리드 타임 11 주
최소: 480
배수: 480

SMD/SMT BGA-24 32 Mbit 2.7 V 3.6 V 20 mA SPI 104 MHz 4 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tray
Microchip Technology NOR 플래시 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory 비재고 리드 타임 4 주
최소: 480
배수: 480

TBGA-24 Tray
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 588
배수: 588

TDFN-S-8 SST26WF040B Tube
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 588
배수: 588

SMD/SMT SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology NOR 플래시 16Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V 비재고 리드 타임 7 주
최소: 392
배수: 392

SMD/SMT WDFN-8 16 Mbit 2.7 V 3.6 V 25 mA SPI, SQI 104 MHz 4 k x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Microchip Technology NOR 플래시 16Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,100
배수: 2,100
: 2,100

SMD/SMT SOIJ-8 16 Mbit 2.7 V 3.6 V 25 mA SPI, SQI 104 MHz 4 k x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Microchip Technology NOR 플래시 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory 비재고 리드 타임 11 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

TBGA-24 SPI, SQI Reel
Microchip Technology NOR 플래시 32Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SMD/SMT WDFN-8 32 Mbit 2.3 V 3.6 V 25 mA SPI 104 MHz 4 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel