TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET(VDS 포함)

Vishay/Siliconix TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET은 매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)으로 전력 변환 효율을 높입니다. Gen V 전력 MOSFET에는 80V, 100V 및 150V 드레인-소스 항복 전압 옵션이 있습니다. Gen V 전력 MOSFET은 PowerPAK® 1212-8SH 또는 PowerPAK SO-8 단일 패키지로 제공됩니다.

결과: 29
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
데이터시트
20,800예상 2027-09-27
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
데이터시트
6,000예상 2028-01-14
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 58.1 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
데이터시트
15,000예상 2027-04-01
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
데이터시트
12,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel