TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET(VDS 포함)

Vishay/Siliconix TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET은 매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)으로 전력 변환 효율을 높입니다. Gen V 전력 MOSFET에는 80V, 100V 및 150V 드레인-소스 항복 전압 옵션이 있습니다. Gen V 전력 MOSFET은 PowerPAK® 1212-8SH 또는 PowerPAK SO-8 단일 패키지로 제공됩니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 1,383재고 상태
3,000예상 2026-02-19
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SC-70W-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9 A - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 100V 126A N-CH MOSFET 943재고 상태
12,000예상 2026-02-19
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
21,000예상 2027-07-26
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
11,505주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel