TrenchT2™ 표준/HiPerFET™ 전력 MOSFET

Littelfuse TrenchT2™ 표준 및 HiPerFET™ 전력 MOSFET은 높은 통전 성능(최대 600A)을 제공하는 강화 모드, 단일 또는 이중 채널 MOSFET입니다. 이 장치는 -55°C~+175°C의 넓은 작동 온도 범위 내에서 낮은 드레인 소스 온 상태 저항(3.5mΩ~22mΩ)과 게이트 전하(25.5~178nC)을 제공합니다. 다양한 소형 패키지로 제공되는 TrenchT2 MOSFET은 저전압, 고전류 전력 변환 시스템에 이상적입니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
IXYS MOSFET IXTA220N04T2 TRL
데이터시트
800구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS MOSFET IXFA76N15T2 TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 400
배수: 400
릴: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA100N04T2 TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA110N055T2 TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA200N055T2 TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA230N075T2 TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTY90N055T2 TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel