MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET은 낮은 게이트 전하(Qg)와 최적화된 정전용량 프로파일을 결합하여 전력 변환 애플리케이션의 새로운 토폴로지에서 높은 효율을 목표로 합니다. Super-junction MDmesh™ M6 시리즈는 고효율 성능을 제공하여 고주파수에 대해 전력 밀도를 높이고 게이트 전하를 낮춥니다. M6 시리즈 MOSFET은 항복 전압 범위가 600~700V입니다. TO-LL(TO-Leadless) 패키지 솔루션을 포함한 광범위한 패키징 옵션으로 제공되므로, 효율적으로 열 관리가 가능합니다. 이 장치는 충전기, 어댑터, 실버 박스 모듈, LED 조명, 통신, 서버 및 태양광을 비롯한 산업용 애플리케이션을 위한 광범위한 작동 전압에 대응합니다.

결과: 51
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
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16재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

Si MDmesh Reel

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
데이터시트
리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 53.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 209 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 137 주
최소: 1,800
배수: 1,800
릴: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 1,800
배수: 1,800
릴: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 38 주
최소: 1,800
배수: 1,800
릴: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V MDmesh Tube
STMicroelectronics STL19N60M6
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics STWA67N60M6
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

Si MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 490 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 215 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel