U-MOSVIII-H 저전압 고효율 MOSFET

Toshiba U-MOSVIII-H 저전압 고효율 MOSFET은 노트북 PC 어댑터, 게임 콘솔, 서버, 데스크톱 PC, 평면 패널 디스플레이 등을 위한 AC-DC 전원 공급 장치의 2차측에 사용하도록 특별히 설계되었습니다. 또한 통신 장비, 서버 및 데이터 센터용 DC-DC 전원 공급 장치에 사용하도록 설계되었습니다. Toshiba U-MOSVIII-H 저전압 고효율 MOSFET은 8세대 트렌치 MOS 공정으로 제작되어 전원 공급 장치 효율성을 개선하는 데 도움이 됩니다. 다른 특징으로는 낮은 드레인 소스 온 저항, 낮은 누설 전류, 높은 애벌런치 견고성 등이 있습니다. 또한 이 시리즈에는 소형 패키지의 오토모티브 인증 MOSFET이 포함되어 있습니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 9,224재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3,725재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG 19,353재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V - 20 V, 20 V 2.3 V 17.3 nC + 150 C 1.51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 8,519재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 41,441재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 80V 146A 4,914재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape