DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM delivers high-speed data transfer rates up to 2133Mbps in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI DDR3 SDRAM is available in a 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8, or  256Mx16 organization. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, and programmable CAS latency. ISSI DDR3 SDRAMs are well-suited for telecom & networking, automotive, and industrial embedded computing.

결과: 177
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ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V 201재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16128CL
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V 254재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 48
: 1,500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 182재고 상태
190예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 16

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 6재고 상태
3,040예상 2026-06-16
최소: 1
배수: 1
최대: 996

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 170재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16128DL
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 48재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 160재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V 66재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 667 MHz BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 81재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 126재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.5V DDR3 1,075재고 상태
2,480예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 1,597

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
190예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR16256BL
ISSI DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V A-Temp
1,500예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 5
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
190예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SDRAM - DDR3 BGA-96 20 ns IS43TR16128C
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
190예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128C
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 12 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR3 BGA-78 IS43TR82560C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 BGA-78 IS43TR82560C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR3 BGA-78 IS43TR82560C Reel