STO33N60M6

STMicroelectronics
511-STO33N60M6
STO33N60M6

제조업체:

설명:
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

ECAD 모델:
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STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
33.4 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
Enhancement
MDmesh
Reel
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 7.5 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 33 ns
시리즈: MDmesh M6
팩토리 팩 수량: 1800
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 38.5 ns
표준 턴-온 지연 시간: 19.5 ns
단위 중량: 76 mg
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STO65N60DM6 전력 MOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6 전력 MOSFET은 매우 낮은 복구 전하(Qrr), 복구 시간(trr) 및 RDS(on)의 탁월한 개선 기능을 결합한 MDmesh DM6 고속 복구 다이오드 시리즈의 일부입니다. STO65N60DM6은 추가 구동 소스 핀을 통해 탁월한 스위칭 성능을 발휘합니다. 이러한 성능 덕분에 STM STO65N60DM6 전력 MOSFET은 가장 까다로운 고효율 브리지 토폴로지 및 ZVS 위상 편이 컨버터에 이상적입니다.

STO67N60x MDmesh 전력 MOSFET

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh 전력 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 적합한 제너 및 100% 애벌랜치 테스트를 거친 N-채널 전력 MOSFET입니다.이 전력 MOSFET은 이전 세대에 비해 우수한 스위칭 성능, 낮은 게이트 입력 저항 및 면적당 낮은 RDS(on)가 특징입니다. STO67N60DM6 전력 MOSFET은 고속 복구 바디 다이오드이며 매우 낮은 복구 충전(Qrr)과 복구 시간(trr)을 가장 효과적인 스위칭 동작과 결합한 제품입니다. STO67N60M6 전력 MOSFET은 LLC 컨버터 및 부스트 PFC 변환기에 사용하기에 이상적입니다.

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET은 낮은 게이트 전하(Qg)와 최적화된 정전용량 프로파일을 결합하여 전력 변환 애플리케이션의 새로운 토폴로지에서 높은 효율을 목표로 합니다. Super-junction MDmesh™ M6 시리즈는 고효율 성능을 제공하여 고주파수에 대해 전력 밀도를 높이고 게이트 전하를 낮춥니다. M6 시리즈 MOSFET은 항복 전압 범위가 600~700V입니다. TO-LL(TO-Leadless) 패키지 솔루션을 포함한 광범위한 패키징 옵션으로 제공되므로, 효율적으로 열 관리가 가능합니다. 이 장치는 충전기, 어댑터, 실버 박스 모듈, LED 조명, 통신, 서버 및 태양광을 비롯한 산업용 애플리케이션을 위한 광범위한 작동 전압에 대응합니다.