STPSC 쇼트키 SiC(탄화 규소) 다이오드

STMicroelectronics의 쇼트키 SiC(탄화 규소) 다이오드는 기존 표준 실리콘 소재 제품보다 동특성 4배, 순방향 전압 15% 감소 등 물리적으로 뛰어난 특성을 이용합니다. 낮은 역회복 특성을 갖춘 덕분에 ST의 탄화 규소 소재의 다이오드는 SMPS 애플리케이션 및 태양 에너지 변환, EV 또는 HEV 충전소 등 부상 중인 분야에서 에너지 절약에 필요한 주요 소자로 사용되며, 용접 장비 및 에어컨에도 사용됩니다. STMicroelectronics의 SiC 제품에는 무할로겐 TO-247 패키지에 하우징되는 20A, 600V 다이오드도 포함하며, 4~12A, 스루홀 및 SMD 패키지로 확장됩니다. 6A, 1200V 및 650V 특성을 가진 2세대 제품도 생산됩니다.

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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM 27재고 상태
2,000예상 2026-11-23
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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650V Power Schottky 6A 10nC 175c 118재고 상태
5,000예상 2026-09-21
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: 2,500

STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650V Power Schottky 6A 10nC 175c 457재고 상태
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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode 988재고 상태
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: 3,000

STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650V Power Schottky 6A 10nC 175c 489재고 상태
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: 1,000

STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650 V 8A Schottky silicn carbid TO-220 781재고 상태
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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode 18재고 상태
3,000주문 중
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: 3,000

STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220
1,000예상 2026-09-14
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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
2,504예상 2026-09-28
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배수: 1
: 3,000

STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
636예상 2026-09-07
최소: 1
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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 650 V power Schottky silicon-carbide diode 리드 타임 25 주
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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 600 V Power Schottky Diode 비재고 리드 타임 52 주
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STMicroelectronics SiC 쇼트키 다이오드 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse 비재고 리드 타임 25 주
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: 1,000

STMicroelectronics STPSC5G12B2-TR
STMicroelectronics STMicroelectronics 1200 V, 5 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 재고 없음
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: 2,500