XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R and XPJ102N09N8R N-channel MOSFETs feature low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency. Due to their excellent figure of merit (FOM), these MOSFETs are ideal for applications that require high-speed switching characteristics. The XPJ101N04N8R offers on-resistance of 4.4mΩ, while the XPJ102N09N8R offers 9.4mΩ, and both are packaged in a DFN5060-8L package that measures 6mm x 4.9mm x 1.1mm. Torex Semiconductor XPJ101N04N8R and XPJ102N09N8R MOSFETs are suitable for various applications, including DC motors and switching circuits.

결과: 2
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Torex Semiconductor MOSFET N-channel MOSFET 100V, 9.4mohm, 59A
데이터시트
3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 59.2 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC + 150 C 62.5 W Enhancement Reel
Torex Semiconductor MOSFET N-channel MOSFET 100V, 4.4mohm, 122A
데이터시트
3,000예상 2026-04-21
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 122 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC + 150 C 125 W Enhancement Reel