STWA70N65DM6

STMicroelectronics
511-STWA70N65DM6
STWA70N65DM6

제조업체:

설명:
MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 596

재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩21,889.2 ₩21,889
₩16,339.2 ₩163,392
₩14,134 ₩1,413,400
₩10,937.2 ₩6,562,320
3,000 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
40 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
125 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 10.8 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 52 ns
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 107 ns
표준 턴-온 지연 시간: 30.4 ns
단위 중량: 6 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STWA70N65DM6 N채널 650V 68A 전력 MOSFET

STWA70N65DM6 N채널 650V 68A 전력 MOSFET는 TO-247 긴 리드 패키지로 제공되는 MDmesh DM6 고속 복구 다이오드입니다. STWA70N65DM6은 매우 낮은 스위칭 전하(Qrr), 매우 낮은 복구 시간(trr) 및 영역 당 탁월한 드레인 소스 온 저항(RDS(on))을 매우 효과적인 스위칭 동작과 결합합니다. 이러한 특성으로 인해 이 장치는 고효율 브리지 토폴로지 및 ZVS(Zero-Voltage Switching) 위상 편이 컨버터에 이상적입니다.

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