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SQ4946CEY-T1_GE3

Name: Vishay SQ4946CEY-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQ4946CEY-T1_GE3
Price: 2233 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SQ4946CEY-T1_GE3

제조업체 번호:

SQ4946CEY-T1_GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

데이터시트:

SQ4946CEY-T1_GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 20,910

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,233.8	₩2,234
	₩1,410.4	₩14,104
	₩940.2	₩94,020
	₩737.3	₩368,650
	₩673.1	₩673,100
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩601.5	₩1,503,750
	₩565	₩2,825,000
	₩527.1	₩13,177,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	7 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	82.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	14.3 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	4 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
하강 시간:	3 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	15 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	4 ns
시리즈:	SQ
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	17 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8 ns
단위 중량:	750 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SQ4946CEY 자동 듀얼 N-채널 MOSFET

Vishay/Siliconix SQ4946CEY 자동 듀얼 N-채널 MOSFET는 60V_DS 드레인-소스 전압, ± 100nA 게이트 소스 누설 및 865pF 최대 입력 정전용량을 제공합니다. 이 MOSFET은 TrenchFET® 전력 소자가 특징이며 자동차 애플리케이션에 이상적입니다. Vishay/Siliconix SQ4946CEY 자동 듀얼 N-채널 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받았고, 100% R_g 및 UIS 테스트를 거쳤으며, RoHS 규격을 준수하고, 무할로겐입니다.

SQ 자동차용 전력 MOSFET

Vishay / Siliconix SQ 자동차용 전력 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받았으며 자동차에 사용하도록 최적화된 특수 공정 설계를 사용하여 생산됩니다. 이 SQ MOSFET에는 온 저항이 낮은 N-채널 및 P-채널 TrenchFET^® 기술이 이용되었으며, 열저항이 낮은 특징이 있습니다. SQ MOSFET은 설계 유연성을 위해 다양한 패키지로 제공됩니다. TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK SO-8, D2PAK(TO-263), DPAK, PowerPAK 1212-8W 등 여러 패키지로 생산되며, 다양한 공간 절약형의 소형 아웃라인 옵션이 포함됩니다. N-채널 및 P-채널 공동 패키지를 포함하여 모든 범위의 극성 옵션도 제공되고 있습니다.

48V DC/DC 변환기

Vishay 48V DC/DC 변환기는 차량에 48V 배터리를 사용하는 동안 12V 배터리 부하를 유지해야하는 제품에 사용됩니다. 이 변환기는 48~12V 범위의 전압을 제공할 수 있으므로 향후 자동차를 위한 중요한 애플리케이션입니다. 다상 결합 및 비결합 인덕터와 같은 이러한 장치로 다양한 토폴로지가 가능합니다. Vishay는 MOSFET, 다이오드, 저항기, 커패시터 및 인덕터 및 맞춤형 자기 솔루션과 같은 표준 장치를 비롯한 광범위한 솔루션 포트폴리오를 제공합니다.