IXT 200V X4 초접합 전력 MOSFET

IXYS IXT 200V X4 초접합 전력 MOSFET은 10.6mΩ, 13mΩ, 또는 21mΩ RDS(on) 및 200V 최대 드레인-소스 전압을 제공하는 N 채널 강화 모드 장치입니다. The IXT MOSFETs are available in TO-220, TO-247, TO-263, or TO-268 standard package style that is avalanche-rated with high-power density. IXYS IXT 200V X4 초접합 전력 MOSFET은 스위치 모드 및 공진 모드 전원 공급 장치에 사용하기에 이상적입니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS 2,004재고 상태
₩22,392.2
₩12,936.5
₩12,429.1
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 268재고 상태
₩18,883.3
₩10,724
₩9,963
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET 499재고 상태
₩19,940.2
₩11,386.3
₩10,695.8
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS 719재고 상태
₩24,646.9
₩16,614.5
₩13,951.1
₩13,472
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET 309재고 상태
₩21,927.2
₩12,386.9
₩12,090.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
1,770주문 중
₩34,469
₩20,334.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
620예상 2027-06-07
₩25,816.5
₩17,516.4
₩13,655.1
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS 450구매 가능한 공장 재고품
₩12,739.2
₩12,598.2
최소: 300
배수: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 94A N-CH X4CLASS 비재고 리드 타임 35 주
₩24,336.9
₩18,531
₩15,430.7
₩13,035.1
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube