IXT 200V X4 초접합 전력 MOSFET

IXYS IXT 200V X4 초접합 전력 MOSFET은 10.6mΩ, 13mΩ, 또는 21mΩ RDS(on) 및 200V 최대 드레인-소스 전압을 제공하는 N 채널 강화 모드 장치입니다. The IXT MOSFETs are available in TO-220, TO-247, TO-263, or TO-268 standard package style that is avalanche-rated with high-power density. IXYS IXT 200V X4 초접합 전력 MOSFET은 스위치 모드 및 공진 모드 전원 공급 장치에 사용하기에 이상적입니다.

결과: 9
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
데이터시트
2,003재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
데이터시트
512재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
데이터시트
667재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
데이터시트
674재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
데이터시트
268재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
데이터시트
366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
데이터시트
719재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
데이터시트
831주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube