RF7x 자동차용 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor의 RF7x 자동차용 전력 MOSFET(RF7G, RF7L, RF7P 변형 포함)은 까다로운 전력 애플리케이션용으로 설계된 고성능 SiC(탄화 규소) 장치입니다. 이 MOSFET은 정격 전압이 1,200V로, 자동차 인버터, 온보드 충전기, 산업용 전력 시스템과 같은 고전압 환경에 매우 적합합니다. RF7G 시리즈는 범용 사용에 적합한 균형 잡힌 특성을 제공하는 반면, RF7L 시리즈는 낮은 전도 손실을 위해 최적화되어 배터리 관리 및 에너지 저장 같은 연속 작동 시나리오에서 효율성을 향상시킵니다. RF7P 시리즈는 고속 스위칭에 탁월하여 통신 장비 및 LED 조명과 같이 빠른 응답이 필요한 애플리케이션에 적합합니다. 모든 변형 제품에 걸쳐 주요 특징으로는 낮은 온 상태 저항, 빠른 스위칭 성능, 고신뢰성, 소형 패키징이 포함되어 자동차 및 산업 분야 모두에서 효율적이고 견고한 전력 변환을 지원합니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH 2,100재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A 2,093재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A 1,201재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 40V 12A 185재고 상태
3,000예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A
3,000예상 2026-03-23
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 60V 12A
2,900예상 2026-03-26
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A
3,000예상 2026-03-23
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH
3,000예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape