1,200V 트렌치 XPT ™ IGBT(초음파 다이오드 포함)

Littelfuse 1,200V 트렌치 XPT™ IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터) (초음파 다이오드 포함)는 XPT 씬 웨이퍼 기술 및 트렌치 IGBT 프로세스를 사용하여 개발되었습니다. 이 트랜지스터는 열 저항이 감소하고 낮은 스위칭 손실을 위해 최적화되었습니다. Littelfuse 1,200V 트렌치 XPT IGBT(초음파 다이오드 포함)는 높은 전류 처리 용량, 높은 전력 밀도 및 병렬 방지 초음파 다이오드를 제공합니다. 이 트렌치 XPT 트랜지스터는 전력 인버터, 모터 드라이브, PFC(역률 보정) 회로 및 배터리 충전기 애플리케이션에 이상적입니다.

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기술
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IXYS IGBT IXYH55N120C4H1
데이터시트
281재고 상태
630예상 2026-07-13
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYK85N120C4H1
데이터시트
971재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT IXYH40N120B4H1
데이터시트
346재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH40N120C4H1
데이터시트
363재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH55N120B4H1
데이터시트
315재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 모듈 IXYN110N120B4H1
데이터시트
233재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT 모듈 IXYN110N120C4H1
데이터시트
106재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT 모듈 IXYN85N120C4H1
데이터시트
253재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT IXYH30N120C4H1
데이터시트
288예상 2026-06-18
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3