SIC1182K SCALE-iDriver™ SiC MOSFET 게이트 드라이버

Power Integrations의 SIC1182K SCALE-iDriver™ SiC MOSFET 게이트 드라이버는 고급 액티브 클램핑 기능을 갖춘 단일 채널 드라이버입니다. 이 MOSFET 드라이버는 최대 ±8A의 첨두 출력 전류 특성을 갖췄고, 집적 FluxLink™ 기술이 적용되어 최대 1,200V의 강화 절연 기능을 제공합니다. SIC1182K 드라이버는 600V, 650V 또는 1,200V SiC MOSFET 스위치에 사용하기에 적합한 제품입니다. 이 MOSFET 드라이버는 일차 및 이차 저전압 차단 보호, 과전류 결함 턴오프, 단락 전류 결함 턴오프로부터 보호 기능을 제공합니다. SIC1182K 드라이버는 최대 150kHz의 스위칭 주파수를 지원합니다. 일반적으로 태양광발전, UPS, 용접 인버터, 전원장치, 범용 및 서보 드라이브에 응용할 수 있습니다.

결과: 2
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드라이버 수
출력 수
출력 전류
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공급 전압 - 최대
상승 시간
하강 시간
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Power Integrations 게이트 드라이버 8A 1200V Reinforced Isolation for SIC
데이터시트
240재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT eSOP-R16B 1 Driver 1 Output 8 A 4.75 V 5.25 V 475 ns 447 ns - 40 C + 125 C SID11 Tube
Power Integrations 게이트 드라이버 8A 1200V Reinforced Isolation for SIC
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT eSOP-R16B 1 Driver 1 Output 8 A 4.75 V 5.25 V 475 ns 447 ns - 40 C + 125 C SID11 Reel, Cut Tape