디커플링 회로용 인덕터

디커플링 회로용 TDK 인덕터는 다양한 유형의 애플리케이션을 제공하는 여러 제품군을 포함합니다. 이러한 애플리케이션 유형에는 엔진 제어 모델, 자동차(첨단 운전자 지원 시스템 포함), 스마트 계측기, AV 장비, xDSL, 차량 액세서리 및 산업용 전자 장치가 있습니다. 이 인덕터 제품군의 일부 모델은 까다로운 조건에서도 높은 신뢰성을 제공하고 최대 150°C의 온도에도 견딜 수 있습니다. TDK 인덕터는 소프트 터미네이션기술, 수지 몰드 등의 독특한 구조 옵션을 제공합니다. 디커플링 회로용 인덕터는 여러 패키지 크기로 제공되며 저항 및 정격 전류 레벨이 다양합니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 368
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK 파워 인덕터 - SMD 10uH 9,873재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH SMD/SMT
TDK 파워 인덕터 - SMD 4.7 UH 20% 426재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-100K-EF 6,818재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 210 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-100K-EFR 124재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 20 % 210 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-1R0M-EF 2,382재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-1R0M-EFR 52재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-2R2M-EF 730재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 390 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-330K-EF 1,292재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 uH 10 % 120 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1uH 10MHz 20% 1608 AEC-Q200 12,254재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 10MHz 20% 1608 AEC-Q200 4,270재고 상태
4,000예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 20 % 500 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 2MHz 20% 1608 AEC-Q200 3,187재고 상태
8,000예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

22 uH 20 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,662재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200 4,052재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,676재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 7,220재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 500 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 6,721재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,869재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 20 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 20 % 220 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK 파워 인덕터 - SMD 1.0uH 195mohms 600mA AEC-Q200 6,685재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK 파워 인덕터 - SMD 0603 1.5uH 20% Large Current 111재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 20 % 550 mA SMD/SMT + 125 C
TDK 파워 인덕터 - SMD 100nH 182mohms 700mA AEC-Q200 1,864재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK 파워 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 550mA, 0.22 H, 351mO 16,115재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 20 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
TDK 파워 인덕터 - SMD .47 UH 20% 99재고 상태
12,000예상 2026-03-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 20 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
TDK 파워 인덕터 - SMD 470nH 546mohms 500mA AEC-Q200 4,079재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 20 % 500 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200