디커플링 회로용 인덕터

디커플링 회로용 TDK 인덕터는 다양한 유형의 애플리케이션을 제공하는 여러 제품군을 포함합니다. 이러한 애플리케이션 유형에는 엔진 제어 모델, 자동차(첨단 운전자 지원 시스템 포함), 스마트 계측기, AV 장비, xDSL, 차량 액세서리 및 산업용 전자 장치가 있습니다. 이 인덕터 제품군의 일부 모델은 까다로운 조건에서도 높은 신뢰성을 제공하고 최대 150°C의 온도에도 견딜 수 있습니다. TDK 인덕터는 소프트 터미네이션기술, 수지 몰드 등의 독특한 구조 옵션을 제공합니다. 디커플링 회로용 인덕터는 여러 패키지 크기로 제공되며 저항 및 정격 전류 레벨이 다양합니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 368
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R22M-EFR 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

220 nH 20 % 1.69 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R47M-EFR 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 20 % 1.34 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R68M-EFR 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 20 % 1.26 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-100K-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 450 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-101K-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 uH 10 % 120 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-1R0M-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 1 A SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-1R5M-EF 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 830 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-221K-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

220 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-331K-EF 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

330 uH 10 % 70 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-3R3M-EFD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 690 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-3R3M-EFR 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 690 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-R15M-EFR
1,850예상 2026-04-24
최소: 1
배수: 1
: 2,000

150 nH 20 % 2.6 A SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-R68M-EFR 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 20 % 1.9 A SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-100K-EFRD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 450 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-2R2M-EFRD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-4R7M-EFRD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 900 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-6R8M-EFRD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 20 % 530 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV32T-R10M-EFRD 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 nH 20 % 2.85 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200