디커플링 회로용 인덕터

디커플링 회로용 TDK 인덕터는 다양한 유형의 애플리케이션을 제공하는 여러 제품군을 포함합니다. 이러한 애플리케이션 유형에는 엔진 제어 모델, 자동차(첨단 운전자 지원 시스템 포함), 스마트 계측기, AV 장비, xDSL, 차량 액세서리 및 산업용 전자 장치가 있습니다. 이 인덕터 제품군의 일부 모델은 까다로운 조건에서도 높은 신뢰성을 제공하고 최대 150°C의 온도에도 견딜 수 있습니다. TDK 인덕터는 소프트 터미네이션기술, 수지 몰드 등의 독특한 구조 옵션을 제공합니다. 디커플링 회로용 인덕터는 여러 패키지 크기로 제공되며 저항 및 정격 전류 레벨이 다양합니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 1.69ohms 210mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 210 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 2.2ohms 175mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 10 % 175 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 0.34ohms 475mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 546mohms 435mA Wound Ferrite 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 0.42ohms 435mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 216mohms 890mA 125C Wound Ferrite 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 0.5ohms 390mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 390 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 0.65ohms 340mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 340 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 1.104ohm 390mA 125C Wound Ferrite 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 20 % 275 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 96mohms 1.34A 125C Wound Ferrite 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 20 % 1.34 A SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 0.18ohms 890mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 435 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 0.44ohms 570mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 340 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0.1uH 0.04ohms 1.89A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

100 nH 20 % 1.89 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .15uH 0.044ohm 1.8mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

150 nH 20 % 1.8 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0.22uH 0.05ohm 1.69A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

220 nH 20 % 1.69 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .33uH 0.065ohm 1.48A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

330 nH 20 % 1.48 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0.68uH 0.09ohm 1.26A 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 20 % 1.26 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 0.11ohms 830mA 3.2x2.5mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1.5 uH 20 % 830 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 208mohms 690mA Wound Ferrite 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 690 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 68uH 2.8ohms 140mA 3.2x2.5mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

68 uH 10 % 140 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK 파워 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 700mA, 0.1H, 182mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 20 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
TDK 파워 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 550mA, 0.22H, 351mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 20 % 550 mA SMD/SMT + 125 C
TDK 파워 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 1000mA, 0.1H, 91mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 20 % 1 A SMD/SMT + 125 C
TDK 파워 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 800mA, 0.22H, 169mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 20 % 800 mA SMD/SMT + 125 C
TDK 파워 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 550mA, 0.47H, 234mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 20 % 550 mA SMD/SMT + 125 C