DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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주파수 안정성
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공급 전압 - 최대
출력 형식
전류 정격
최저 작동온도
최고 작동온도
자격
시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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736재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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358재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.58MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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785재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 3.58 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 108MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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841재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 108 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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100재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 44 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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15재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 125 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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723재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 32.768 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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18재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 100 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-105C 10ppm
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34재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 40 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.333MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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890재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 33.333 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
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5재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

CDFN-4 12 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 10 ppm 012.0000MHz
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1,047재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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394재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 1 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
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192재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 108 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power 0C-70C 50ppm
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908재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 8 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA 0 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
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580재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 8 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 60MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
8재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 60 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -20C - 70C 25 ppm 020.0000MHz
데이터시트
278재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 20 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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1,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 10 ppm 032.7680MHz
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46재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 32.768 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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379재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 1.485 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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182재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 4.096 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 19.6608MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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100재고 상태
최소: 25
배수: 25

DFN-4 19.6608 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
788재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 33 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 150MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
360재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 150 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001