DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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주파수 안정성
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공급 전압 - 최대
출력 형식
전류 정격
최저 작동온도
최고 작동온도
자격
시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 133MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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527재고 상태
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CDFN-4 133 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66.667MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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199재고 상태
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CDFN-4 66.667 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 150MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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274재고 상태
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CDFN-4 150 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 18.432MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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402재고 상태
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CDFN-4 18.432 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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18재고 상태
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CDFN-4 1 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.33MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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55재고 상태
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CDFN-4 33.33 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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1,074재고 상태
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CDFN-4 1 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25.2MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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960재고 상태
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CDFN-4 25.2 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 49.5MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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1,214재고 상태
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CDFN-4 49.5 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C AEC-Q100 DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm
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1,061재고 상태
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CDFN-4 32 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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487재고 상태
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DFN-4 4 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 22.5792MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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838재고 상태
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CDFN-4 22.5792 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 10 ppm 010.0000MHz
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175재고 상태
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CDFN-4 10 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 3225 pkg -20-70C 50ppm 024.0000MHz
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12재고 상태
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CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 18.432MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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100재고 상태
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CDFN-4 18.432 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 50ppm
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102재고 상태
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CDFN-4 38.4 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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736재고 상태
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CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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363재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 12 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.58MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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785재고 상태
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CDFN-4 3.58 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 108MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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841재고 상태
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CDFN-4 108 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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100재고 상태
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CDFN-4 44 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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15재고 상태
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CDFN-4 125 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
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521재고 상태
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CDFN-4 8 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
데이터시트
100재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 66.6666 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1.6MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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782재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 1.6 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001