DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1001 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, 최대 -40ºC~105ºC의 온도 범위에서 작동합니다. DSC1001은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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공급 전압 - 최대
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전류 정격
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최고 작동온도
자격
시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 25 ppm 066.6666MHz
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2,408재고 상태
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: 3,000

CDFN-4 66.6666 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, 0 to 70C, 7.0 x 5.0mm
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2,226재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA 0 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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2,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 10 ppm 012.0000MHz
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1,254재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 8MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
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970재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-4 8 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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2,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 12.288 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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363재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 3.58MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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785재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 3.58 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 -40C - 85C 25 ppm 048.0000MHz
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953재고 상태
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CDFN-4 48 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 2.4576MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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220재고 상태
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배수: 1

CDFN-4 2.4576 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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73재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
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1,991재고 상태
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DFN-4 48 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Lower Power 10ppm
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2,137재고 상태
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DFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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698재고 상태
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CDFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.333MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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582재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 33.333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
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227재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 37.125MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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40재고 상태
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CDFN-4 37.125 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm
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30재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.33MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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419재고 상태
최소: 1
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CDFN-4 33.33 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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169재고 상태
925예상 2026-07-24
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CDFN-4 1 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C
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527재고 상태
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CDFN-4 96 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 22.5792MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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838재고 상태
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CDFN-4 22.5792 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 32MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
70재고 상태
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CDFN-4 32 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 3225 pkg -20-70C 50ppm 024.0000MHz
데이터시트
12재고 상태
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CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
445재고 상태
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CDFN-4 33 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001