RGW00TK65DGVC11

Name: ROHM Semiconductor RGW00TK65DGVC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGW00TK65DGVC11
Price: 12074 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

755-RGW00TK65DGVC11

제조업체 번호:

RGW00TK65DGVC11

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

데이터시트:

RGW00TK65DGVC11 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩12,074.2	₩12,074
	₩7,066.4	₩70,664
	₩5,956.8	₩595,680
	₩5,256	₩2,365,200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-3PFM-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	650 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.9 V
최대 게이트 이미터 전압:	30 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	45 A
Pd - 전력 발산:	89 W
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
포장:	Tube
브랜드:	ROHM Semiconductor
게이트-이미터 누설 전류:	200 nA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	450
하위 범주:	IGBTs
부품번호 별칭:	RGW00TK65D

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데이터시트

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650V 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650V 필드 스톱 트렌치 IGBT는 소형 패키지로 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압을 제공합니다. RGW IGBT는 고속 스위칭, 낮은 스위칭 손실, 내장된 매우 빠르고 부드러운 복구 FRD가 특징입니다. ROHM RGW 650V 필드 스톱 트렌치 IGBT는 태양광 인버터, UPS, 용접, IH 및 PFC 애플리케이션에 이상적입니다.