RGW 650V 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650V 필드 스톱 트렌치 IGBT는 소형 패키지로 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압을 제공합니다. RGW IGBT는 고속 스위칭, 낮은 스위칭 손실, 내장된 매우 빠르고 부드러운 복구 FRD가 특징입니다. ROHM RGW 650V 필드 스톱 트렌치 IGBT는 태양광 인버터, UPS, 용접, IH 및 PFC 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 51
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
ROHM Semiconductor IGBT TO3P 650V 16A TRNCH 895재고 상태
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 30A TRNCH 2,394재고 상태
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 40A TRNCH 2,388재고 상태
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 60A TRNCH 2,387재고 상태
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD 443재고 상태
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SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 81 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 450재고 상태
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
최소: 1
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT 448재고 상태
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 30 A 67 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
최소: 1
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 50A TRNCH 2,400재고 상태
최소: 1
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 50A TRNCH 2,400재고 상태
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 30A TRNCH 2,394재고 상태
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 51 A 156 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 40A TRNCH 2,400재고 상태
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT TO247 650V 60A TRNCH 2,400재고 상태
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Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 400재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N 450재고 상태
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD 3재고 상태
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SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube