BSS84X HZG 소신호 MOSFET

ROHM Semiconductor BSS84X HZG 소신호 MOSFET은 우수한 열전도를 위해 드레인 패드가 노출된 무연 초소형 패키지로 제공됩니다. BSS84X HZG 소신호 MOSFET은 -60V 드레인-소스 전압, ±230mA 연속 드레인 전류, 1.0W 전력 손실이 특징입니다. BSS84X HZG는 스위칭 회로, 하이 측 부하 스위치, 계전기 드라이버 애플리케이션용으로 설계되었습니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
포장
ROHM Semiconductor MOSFET SOT323 P-CH 60V .21A
데이터시트
6,303재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ
데이터시트
제품 코멘트
4,195재고 상태
6,000예상 2026-05-05
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
데이터시트
제품 코멘트
15,941예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
릴: 8,000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape