RCV e3 & RCV-AT High Voltage Thick Film Resistors

Vishay / Draloric RCV e3 and RCV-AT High Voltage Thick Film Resistors offer high operating voltage of up to 3kV for the 2512 size and a resistance value of up to 100MΩ. These resistors are constructed using a metal glaze on high-quality ceramic. Vishay / Draloric RCV e3 and RCV-AT High Voltage Thick Film Resistors provide temperature coefficients down to 100ppm. Both series operate in a -55°C to +155°C temperature range.

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특징
자격
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV2010-AT 200 220K 5% E02 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 4,000
배수: 4,000
RCV-AT e3 220 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 2 kV 2010 5025 5 mm (0.197 in) 2.5 mm (0.098 in) 0.6 mm (0.024 in) Automotive Grade
Vishay / Dale RCV12061M00FKEC
Vishay / Dale 후막 저항기 - SMD RCV1206 100 1M0 1% ET6 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1
RCV e3 1 MOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay / Dale RCV1206470KFKEC
Vishay / Dale 후막 저항기 - SMD RCV1206 100 470K 1% ET6 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1
RCV e3 470 kOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay / Dale RCV12065M60JNEA
Vishay / Dale 후막 저항기 - SMD RCV1206 200 5M6 5% ET1 E3
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1
RCV e3 5.6 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay / Dale RCV2010100KJNEF
Vishay / Dale 후막 저항기 - SMD RCV2010 200 100K 5% E02 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,000
배수: 4,000
RCV e3 100 kOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 2 kV 2010 5025 5 mm (0.197 in) 2.5 mm (0.098 in) 0.6 mm (0.024 in) High Voltage
Vishay / Dale RCV201010M0JNEF
Vishay / Dale 후막 저항기 - SMD RCV2010 200 10M 5% E02 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,000
배수: 4,000
RCV e3 10 MOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 2 kV 2010 5025 5 mm (0.197 in) 2.5 mm (0.098 in) 0.6 mm (0.024 in) High Voltage
Vishay / Dale RCV20101M00JNEF
Vishay / Dale 후막 저항기 - SMD RCV2010 200 1M0 5% E02 e3
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,000
배수: 4,000
RCV e3 1 MOhms 750 mW (3/4 W) 1 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 2 kV 2010 5025 5 mm (0.197 in) 2.5 mm (0.098 in) 0.6 mm (0.024 in) High Voltage
Vishay RCV0805147KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 147K 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

RCV e3 147 kOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV0805162KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 162K 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

RCV e3 162 kOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV08051M10FKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 1M1 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 1.1 MOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV08051M20FKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 1M2 1% ET1 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 1.2 MOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV08052M40FKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 2M4 1% ET1 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 2.4 MOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV0805332KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 332K 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 332 kOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV0805390KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 390K 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 390 kOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV08053M90JNEA
Vishay 후막 저항기 - SMD 재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 3.9 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in) Wrap-Around Termination
Vishay RCV0805620KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 620K 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 620 kOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV0805680KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 680K 1% ET1 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 680 kOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay / Draloric RCV08056M80FKEA
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 6M8 1% ET1 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

RCV e3 6.8 MOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV08056M80JNEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV0805 200 6M8 5% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 6.8 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay / Draloric RCV0805820KFKEA
Vishay / Draloric 후막 저항기 - SMD RCV0805 100 820K 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

RCV e3 820 kOhms 125 mW (1/8 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 400 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.5 mm (0.02 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV1206102KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV1206 100 102K 1% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 102 kOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV1206120KJNEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV1206 200 120K 5% ET1 E3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 120 kOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 200 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV1206180KFKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV1206 100 180K 1% ET1 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 180 kOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV12061M10FKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV1206 100 1M1 1% ET1 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 1.1 MOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination
Vishay RCV12061M20FKEA
Vishay 후막 저항기 - SMD RCV1206 100 1M2 1% ET1 e3
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
RCV e3 1.2 MOhms 250 mW (1/4 W) 1 % 100 PPM / C - 55 C + 155 C 500 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) High Voltage Wrap-Around Termination