STripFET V™ 전력 MOSFET

STMicroelectronics STripFET V™ 전력 MOSFET은 새로운 게이트 구조의 STMicroelectronics 독점 STripFET™ 기술의 혜택을 받는 강화 모드 MOSFET입니다. 첨단 평면 기술은 고효율, FoM(성능 지수)를 향상시키는 데 이상적입니다. 자동차 및 산업용 스위칭 애플리케이션에서 요구되는 높은 전류 및 낮은 RDS(on)를 제공합니다. 이 장치에 사용되는 고급 평면 기술은 고효율, 저전압 시스템에 이상적입니다.

결과: 4
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
STMicroelectronics MOSFET Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerF 5,036재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 56 A 9 mOhms - 20 V, 22 V 2.5 V 6.5 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFET N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V 12,677재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V 196재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.8 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V 3,274재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel