UCC21530/UCC21530-Q1 절연 게이트 드라이버

Texas Instruments UCC21530/UCC21530-Q1 절연형 이중 채널 게이트 드라이버는 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류가 특징으로, 동급 최고의 전파 지연 및 펄스 폭 왜곡으로 최대 5MHz에서 IGBT 및 SiC MOSFET을 구동하도록 설계되었습니다. 드라이버 입력 측은 5.7kVRMS 강화 절연 장벽을 통해 2개의 출력 드라이버에서 격리되며 최소 100V/ns의 공통 모드 과도 전류 내성(CMTI)을 갖습니다. 그 밖에도, 보조 측 드라이버 2개 사이의 내부 기능 격리 덕분에 최대 1,850V에 이르는 작동 전압이 가능합니다.

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Texas Instruments 갈바닉 절연 게이트 드라이버 5.7kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21530DWK
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Texas Instruments 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Automotive 4-A 6-A 5 .7-kVRMS isolated A A 595-UCC21530QDWKQ1
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Texas Instruments 게이트 드라이버 Automotive 4-A 6-A 5 .7-kVRMS isolated
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Texas Instruments 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Automotive 4-A 6-A 5 .7-kVRMS isolated UC UCC21530BQDWKQ1
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