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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 1460 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIA436DJ-T1-GE3

제조업체 번호:

SIA436DJ-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

데이터시트:

SIA436DJ-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 37,143

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공장 리드 타임:: 7 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,460	₩1,460
	₩909.6	₩9,096
	₩594.2	₩59,420
	₩458.4	₩229,200
	₩414.6	₩414,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩365	₩1,095,000
	₩337.3	₩2,023,800
	₩328.5	₩2,956,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SC-70-6
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	8 V
Id - 연속 드레인 전류:	12 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	9.4 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, 5 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	350 mV
Qg - 게이트 전하:	15 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	19 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET, PowerPAK
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	8 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	70 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	10 ns
시리즈:	SIA
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	30 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns
부품번호 별칭:	SIA436DJ-GE3
단위 중량:	1 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIA436DJ-T1-GE3 데이터시트

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.