UF3N120007K4S

Name: onsemi UF3N120007K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF3N120007K4S
Price: 88829 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

772-UF3N120007K4S

제조업체 번호:

UF3N120007K4S

제조업체:

onsemi

설명:

JFET UF3N120007K4S

라이프사이클:

신제품:

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ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	JFET
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
구성:	Single
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:	- 30 V to 30 V
드레인 소스 전류(Vgs=0):	20 uA
Id - 연속 드레인 전류:	120 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	7.1 mOhms
Pd - 전력 발산:	789 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	UF3N
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
제품 유형:	JFETs
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors

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데이터시트

UF3N120007K4S 데이터시트

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3N120007K4S 1200V JFET N채널 트랜지스터

onsemi UF3N120007K4S 1200V EliteSic JFET N채널 트랜지스터는 1200V, 7.1mΩ 고성능 Gen 3 상시 온 SiC JFET 트랜지스터입니다. 이 장치는 TO247-4 패키지로 초저 온저항 [RDS_(ON)]을 제공하므로 솔리드 스테이트 회로 차단기 및 계전기 애플리케이션의 까다로운 열 제약을 해결하는 데 이상적입니다. onsemi UF3N120007K4SJFET는 회로 보호 애플리케이션에 필요한 고에너지 스위칭을 지원하는 강력한 기술입니다.