GS665xx 강화 모드 실리콘 전력 트랜지스터

Infineon Technologies GS665xx 증가 모드 고전자 이동도 트랜지스터(E-HEMT)는 고전류, 고전압 항복 및 높은 스위칭 주파수가 특징입니다. 이 전력 트랜지스터에는 고전류 다이와 고수율을 갖춘 Island Technology 셀 레이아웃이 포함되어 있으며, GaNPX® 소형 패키징으로 낮은 인덕턴스와 낮은 열 저항을 구현합니다. 이 전력 트랜지스터는 고전력 애플리케이션을 위해 매우 낮은 접합부-케이스 열 저항을 제공합니다. GS665xx 증가 모드 실리콘 전력 트랜지스터는 하단 또는 상단 냉각 트랜지스터로 제공됩니다. 이 전력 트랜지스터는 초저 FOM 다이, 역전류 성능 및 제로 역회복 손실을 제공합니다.

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