4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.

결과: 5
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
IXYS MOSFET 4500V 0.9A HV Power MOSFET
데이터시트
166재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 900 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
데이터시트
296재고 상태
510예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
데이터시트
436주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET
데이터시트
116예상 2026-08-07
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 3 A 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 2A HV Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube