80V N-채널 U-MOS X-H MOSFET

Toshiba 80V N-채널 U-MOS X-H MOSFET은 고속 스위칭, 작은 게이트 전하 및 낮은 전력 손실을 제공합니다. U-MOS X-H MOSFET은 탁월한 드레인-소스 온 상태 저항(RDS(ON)) x 전송 저항 x 입력 정전용량(Ciss) 값으로 높은 전도성과 낮은 게이트 드라이버 손실을 제공합니다. 감소된 출력 정전용량(COSS)은 출력 전하(QOSS)를 낮추어 이러한 장치의 스위칭 효율성을 높입니다. 이 MOSFET은 전압 레귤레이터, 모터 드라이버 및 고효율 DC-DC 컨버터를 스위칭하는 데 적합합니다.

결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm 894재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm 4,405재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm 5,912재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm 71재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm 7재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm 268재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm 488재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm 65재고 상태
10,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm 435재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm 15재고 상태
20,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube