SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Toshiba  SiC SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 높은 역전압 정격과 짧은 역회복 시간(trr)이 특징입니다. Toshiba는 또한 낮은 누설 전류(Ir) 및 높은 서지 전류 성능을 위한 JBS(접합 배리어 쇼트키) 구조를 갖춘 650V SBD도 제공합니다. 이 장치는 스위치 모드 전원 공급 장치의 효율을 개선합니다.

결과: 24
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
구성
If - 순방향 전류
Vrrm - 반복 역 전압
Vf - 순방향 전압
If - 순방향 서지 전류
Ir - 역 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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97재고 상태
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Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
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29재고 상태
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 V=650 IF=8A
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7재고 상태
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Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
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58재고 상태
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Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
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36재고 상태
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Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY
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36재고 상태
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Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
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68재고 상태
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Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY
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24재고 상태
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Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
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67재고 상태
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Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
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85재고 상태
최소: 1
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
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11재고 상태
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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15재고 상태
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Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
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15재고 상태
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Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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60재고 상태
최소: 1
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 2A RDL SIC SKY
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307재고 상태
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Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 4A RDL SIC SKY
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115재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 6A RDL SIC SKY
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160재고 상태
최소: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 12A RDL SIC SKY
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100예상 2026-07-10
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Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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비재고 리드 타임 26 주
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Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 12A RDL SIC SKY
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비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 3A RDL SIC SKY
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비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 4A RDL SIC SKY
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비재고 리드 타임 26 주
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Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 V=650 IF=6A
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리드 타임 26 주
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Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 8A RDL SIC SKY
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비재고 리드 타임 26 주
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Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube