무선 드라이버 증폭기

Infineon Technologies 무선 드라이버 증폭기는 대규모 MIMO 5G 기지국으로부터 소형 셀 및 액세스 포인트에 이르기까지 RF 애플리케이션에서 프리 드라이버 또는 드라이버로 사용할 수 있습니다. 소형의 강력한 이 증폭기는 일반적으로 송수신기 IC와 전력 증폭기 사이에 위치하며 저전력 애플리케이션을 위한 전력 증폭기로 사용할 수도 있습니다. Infineon Technologies 드라이버 증폭기는 구동 PA의 최적 선형화 결과를 위해 높은 선형성과 우수한 광대역 이득 평탄도를 자랑합니다.

결과: 7
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 작동 주파수 작동 공급 전압 작동 공급 전류 이득 NF - 잡음 지수 타입 장착 스타일 패키지/케이스 기술 P1dB - 압축 지점 OIP3 - 3차 교차점 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Infineon Technologies RF 증폭기 WIRELESS INFRASTRUCTURE 5,932재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

3.1 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 38.5 dB 3.3 dB Driver Amplifiers SMD/SMT VQFN-24 31 dBm 41.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF 증폭기 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,999재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.3 GHz to 2.7 GHz 3.3 V 34.4 dB 3.5 dB Power Amplifiers TSNP-16 SiGe 32.2 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF 증폭기 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,996재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 35.1 dB 3.4 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.3 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF 증폭기 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,995재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 MHz to 4.2 MHz 4.75 V to 5.25 V 35.2 dB 3.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.5 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF 증폭기 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,984재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 34.8 dB 3.8 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.2 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF 증폭기 WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,082재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 35 dB 3.2 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF 증폭기 WIRELESS INFRASTRUCTURE 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

3.3 GHz to 4.2 GHz 3.15 V to 3.45 V 1.7 mA 34.4 dB 3.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 SiGe 27.8 dBm 37 dBm - 40 C + 115 C Reel