75~100V N채널 자동차 MOSFET

Infineon Technologies 75~100V N채널 자동차 MOSFET는 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q101 인증을 받았으며, D-PAK, TOLL(HSOF-8), TOLG(HSG-8), SSO8(TDSON-8)을 비롯한 다양한 패키지 유형으로 제공됩니다. 이 MOSFET는 연료 분사 시스템 차량 내 무선 충전 애플리케이션, 보드 넷이라 부르는 C02 방출 감소 48V 전력 서브시스템에 이상적입니다.

결과: 64
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
1,000예상 2026-08-31
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
998예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
3,729주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
2,500예상 2026-08-31
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 7.5 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
5,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 28 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
3,818예상 2026-10-22
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
3,591예상 2026-09-10
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
4,998예상 2027-05-10
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
5,000예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
465예상 2026-09-01
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 39 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 비재고 리드 타임 22 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

Si SMD/SMT DirectFET-L8 N-Channel 1 Channel 100 V 114 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 210 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IPP100N10S305AKSA2
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 9 주
최소: 500
배수: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube