GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

결과: 7
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Central Semiconductor GaN FET 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
데이터시트
2,470재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion
Central Semiconductor GaN FET 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
데이터시트
2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement
Central Semiconductor GaN FET 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
데이터시트
2,493재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW
Central Semiconductor GaN FET 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
데이터시트
2,468재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion
Central Semiconductor GaN FET 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
데이터시트
1,369재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W
Central Semiconductor GaN FET 650V, 11A, N-Channel GaN FET
데이터시트
2,102재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion
Central Semiconductor GaN FET 650V, 17A, N-Channel GaN FET
데이터시트
2,438재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion