DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 2438 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

637-DI105N04PQ-AQ

제조업체 번호:

DI105N04PQ-AQ

제조업체:

Diotec Semiconductor

설명:

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

데이터시트:

DI105N04PQ-AQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩1,898	₩18,980
	₩1,143.2	₩114,320
	₩1,131.5	₩565,750
	₩1,096.5	₩1,096,500
	₩969.4	₩2,423,500
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩911	₩4,555,000
	₩785.5	₩7,855,000
25,000	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Diotec Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	105 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.6 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.4 V
Qg - 게이트 전하:	23 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	83 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Diotec Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	9.4 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	116 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	8.3 ns
시리즈:	DI100N
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	28 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns
부품번호 별칭:	N-CHANNEL

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문서 필터:

데이터시트

DI105N04PQ-AQ 데이터시트 (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.