MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

결과: 2
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-베이스 전압 VCBO 이미터-베이스 전압 VEBO 콜렉터-이미터 포화 전압 Pd - 전력 발산 게인 대역폭 제품 fT 최저 작동온도 최고 작동온도 자격 포장
Panjit 양극성 트랜지스터 - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified 26,735재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit 양극성 트랜지스터 - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 29,441재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel